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Comparison of MoS$_2$/p-GaN Heterostructures Fabricated via Direct Chemical Vapor Deposition and Transfer Method

Lee, Juhun; Jang, Hyunwoo; Kwak, Taemyung; Choi, Uiho; So, Byeongchan ORCID iD icon; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssa.201900722
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Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1862-6300, 1862-6319
KITopen-ID: 1000142899
Erschienen in Physica status solidi / A
Verlag John Wiley and Sons
Band 217
Heft 7
Seiten Art.-Nr.: 1900722
Vorab online veröffentlicht am 23.12.2019
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