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Direct Current and Radio Frequency Characterizations of AlGaN/AlN/GaN/AlN Double‐Heterostructure High‐Electron Mobility Transistor (DH‐HEMT) on Sapphire

Choi, Uiho; Kim, Hyun-Seop; Lee, Kyeongjae; Jung, Donghyeop; Kwak, Taemyung; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan ORCID iD icon; Kang, Myoung-Jin; Seo, Kwang-Seok; Han, Min; Choi, Seokgyu; Lee, Sangmin; Cha, Ho-Young; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssa.201900695
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Zitationen: 8
Web of Science
Zitationen: 8
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Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1862-6300, 1862-6319
KITopen-ID: 1000142900
Erschienen in Physica status solidi / A
Verlag John Wiley and Sons
Band 217
Heft 7
Seiten Art.-Nr.: 1900695
Vorab online veröffentlicht am 04.12.2019
Nachgewiesen in Web of Science
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