KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

The Effect of AlN Buffer Layer on AlGaN/GaN/AlN Double‐Heterostructure High‐Electron‐Mobility Transistor

Choi, Uiho; Jung, Donghyeop; Lee, Kyeongjae; Kwak, Taemyung; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan ORCID iD icon; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/pssa.201900694
Scopus
Zitationen: 12
Web of Science
Zitationen: 11
Dimensions
Zitationen: 14
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1862-6300, 1862-6319
KITopen-ID: 1000142901
Erschienen in Physica status solidi / A
Verlag John Wiley and Sons
Band 217
Heft 7
Seiten Art.-Nr.: 1900694
Vorab online veröffentlicht am 04.12.2019
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page