The Effect of AlN Buffer Layer on AlGaN/GaN/AlN Double‐Heterostructure High‐Electron‐Mobility Transistor
Choi, Uiho; Jung, Donghyeop; Lee, Kyeongjae; Kwak, Taemyung; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan
; Nam, Okhyun
; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 04.2020 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1862-6300, 1862-6319 KITopen-ID: 1000142901 |
| Erschienen in | Physica status solidi / A |
| Verlag | John Wiley and Sons |
| Band | 217 |
| Heft | 7 |
| Seiten | Art.-Nr.: 1900694 |
| Vorab online veröffentlicht am | 04.12.2019 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |