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Growth and characterization of MoS$_2$/n-GaN and MoS$_2$/p-GaN vertical heterostructure with wafer scale homogeneity

Lee, Juhun; Jang, Hyunwoo; Kwak, Taemyung; Choi, Uiho; So, Byeongchan ORCID iD icon; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.sse.2019.107751
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Zitationen: 4
Dimensions
Zitationen: 5
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 03.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0038-1101
KITopen-ID: 1000142902
Erschienen in Solid state electronics
Verlag Elsevier
Band 165
Seiten Art.-Nr.: 107751
Nachgewiesen in Dimensions
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