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Effects of NH3 pre-treatment time on nitrogen-polar GaN grown on carbon-face 4H-SiC using high-temperature metal-organic chemical vapor deposition

Kim, M.; Choi, U.; Lee, K.; Jung, D.; Kwak, T.; So, B. ORCID iD icon; Ku, K.; Nam, O.


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000142903
Veröffentlicht am 09.02.2022
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1229-9162, 2672-152X
KITopen-ID: 1000142903
Erschienen in Journal of ceramic processing research
Verlag Hanyang Univ. Press
Band 21
Heft 5
Seiten 579-585
Nachgewiesen in Web of Science
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