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Effect on optical, structural and electrical properties by the AlGaN/AlGaN multi quantum wells with different well and barrier thicknesses

Kim, Taeyoung; So, Byeongchan ORCID iD icon; Lee, Joohyoung; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.tsf.2019.04.031
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Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 06.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0040-6090
KITopen-ID: 1000142906
Erschienen in Thin solid films
Verlag Elsevier
Band 680
Seiten 31–36
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