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Effect of ammonia pretreatment on crystal quality of N-polar GaN grown on SiC by metalorganic chemical vapor deposition

Choi, Uiho; Lee, Kyeongjae; Han, Jaeyeon; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan ORCID iD icon; Kwak, Taemyung; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.tsf.2019.01.049
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Zitationen: 2
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Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 04.2019
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0040-6090
KITopen-ID: 1000142909
Erschienen in Thin solid films
Verlag Elsevier
Band 675
Seiten 148–152
Nachgewiesen in Dimensions
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