Effect of ammonia pretreatment on crystal quality of N-polar GaN grown on SiC by metalorganic chemical vapor deposition
Choi, Uiho; Lee, Kyeongjae; Han, Jaeyeon; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan
; Kwak, Taemyung; Nam, Okhyun
; Kwak, Taemyung; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 04.2019 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0040-6090 KITopen-ID: 1000142909 |
| Erschienen in | Thin solid films |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 675 |
| Seiten | 148–152 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |