Growth behavior of GaN on AlN for fully coalesced channel of AlN-based HEMT
Choi, Uiho; Lee, Kyeongjae; Kwak, Taemyung; Jung, Donghyeop; Jang, Taehoon; Nam, Yongjun; So, Byeongchan
; Kim, Hyun-Seop; Cha, Ho-Young; Kang, Myoung-Jin; Seo, Kwang-Seok; Nam, Okhyun
; Kim, Hyun-Seop; Cha, Ho-Young; Kang, Myoung-Jin; Seo, Kwang-Seok; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 12.2019 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0021-4922, 1347-4065 KITopen-ID: 1000142911 |
| Erschienen in | Japanese journal of applied physics |
| Verlag | Japan Society of Applied Physics |
| Band | 58 |
| Heft | 12 |
| Seiten | Art.-Nr.: 121003 |
| Vorab online veröffentlicht am | 06.11.2019 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |