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Correlation Between Two-Dimensional Electron Gas Mobility and Crystal Quality in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structure Grown on 4H-SiC

Heo, Cheon; Jang, Jongjin; Lee, Kyungjae; So, Byungchan ORCID iD icon; Lee, Kyungbae; Ko, Kwangse; Nam, Okhyun


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1166/jnn.2017.12428
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Zitationen: 3
Web of Science
Zitationen: 5
Dimensions
Zitationen: 4
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.2017
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1533-4880
KITopen-ID: 1000142924
Erschienen in Journal of nanoscience and nanotechnology
Verlag American Scientific Publishers
Band 17
Heft 1
Seiten 577–580
Nachgewiesen in Dimensions
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