Correlation Between Two-Dimensional Electron Gas Mobility and Crystal Quality in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structure Grown on 4H-SiC
Heo, Cheon; Jang, Jongjin; Lee, Kyungjae; So, Byungchan
; Lee, Kyungbae; Ko, Kwangse; Nam, Okhyun
; Lee, Kyungbae; Ko, Kwangse; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 01.2017 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1533-4880 KITopen-ID: 1000142924 |
| Erschienen in | Journal of nanoscience and nanotechnology |
| Verlag | American Scientific Publishers |
| Band | 17 |
| Heft | 1 |
| Seiten | 577–580 |
| Nachgewiesen in | Web of Science Scopus Dimensions OpenAlex |