Mg-compensation effect in GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors grown on 4H-SiC substrate
Ko, Kwangse; Lee, Kyeongjae; So, Byeongchan
; Heo, Cheon; Lee, Kyungbae; Kwak, Taemyung; Han, Sang-Woo; Cha, Ho-Young; Nam, Okhyun
; Heo, Cheon; Lee, Kyungbae; Kwak, Taemyung; Han, Sang-Woo; Cha, Ho-Young; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 01.2017 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0021-4922, 1347-4065 KITopen-ID: 1000142927 |
| Erschienen in | Japanese journal of applied physics |
| Verlag | Japan Society of Applied Physics |
| Band | 56 |
| Heft | 1 |
| Seiten | Art.-Nr.: 015502 |
| Vorab online veröffentlicht am | 05.12.2016 |
| Nachgewiesen in | OpenAlex Web of Science Dimensions Scopus |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |