GaN Epitaxial Layer Grown with Conductive Al$_x$ Ga$_{1−x}$ N Buffer Layer on SiC Substrate Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition
So, Byeongchan
; Lee, Kyungbae; Lee, Kyungjae; Heo, Cheon; Pyeon, Jaedo; Ko, Kwangse; Jang, Jongjin; Nam, Okhyun
; Lee, Kyungbae; Lee, Kyungjae; Heo, Cheon; Pyeon, Jaedo; Ko, Kwangse; Jang, Jongjin; Nam, Okhyun| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 05.2016 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1533-4880, 1533-4899 KITopen-ID: 1000142929 |
| Erschienen in | Journal of nanoscience and nanotechnology |
| Verlag | American Scientific Publishers |
| Band | 16 |
| Heft | 5 |
| Seiten | 4914–4918 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |