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Defect reduction in m-plane GaN on m-sapphire via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapor phase epitaxy

Kim, M.; Woo, S.; So, B. ORCID iD icon; Shim, K. B.; Nam, O.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2016
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1229-9162, 2672-152X
KITopen-ID: 1000142933
Erschienen in Journal of Ceramic Processing Research
Verlag Hanyang Univ. Press
Band 17
Heft 10
Seiten 1015-1018
Nachgewiesen in Web of Science
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