Defect reduction of SiN$_x$ embedded m -plane GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Woo, Seohwi; Kim, Minho; So, Byeongchan
; Yoo, Geunho; Jang, Jongjin; Lee, Kyuseung; Nam, Okhyun
; Yoo, Geunho; Jang, Jongjin; Lee, Kyuseung; Nam, Okhyun | Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 12.2014 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0022-0248 KITopen-ID: 1000142936 |
| Erschienen in | Journal of crystal growth |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 407 |
| Seiten | 6–10 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |