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Effect of nitridation on the orientation of GaN layer grown on m-sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy

Nam, O.; Won, Y.; So, B. ORCID iD icon; Woo, S.; Lee, D.; Kim, M.


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Zitationen: 5
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1229-9162, 2672-152X
KITopen-ID: 1000142939
Erschienen in Journal of Ceramic Processing Research
Verlag Hanyang Univ. Press
Band 15
Heft 2
Seiten 61-65
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