Effect of nitridation on the orientation of GaN layer grown on m-sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy
Nam, O.; Won, Y.; So, B.
; Woo, S.; Lee, D.; Kim, M.
; Woo, S.; Lee, D.; Kim, M.| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2014 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1229-9162, 2672-152X KITopen-ID: 1000142939 |
| Erschienen in | Journal of Ceramic Processing Research |
| Verlag | Hanyang Univ. Press |
| Band | 15 |
| Heft | 2 |
| Seiten | 61-65 |
| Nachgewiesen in | Web of Science Scopus |