KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

High yield of self-catalyzed GaAs nanowire growth on silicon (111) substrate templated by focused ion beam patterning

Bahrami, D. ; Mostafavi Kashani, S. M.; Al Hassan, Ali; Davtyan, A.; Pietsch, U.


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1361-6528/ab6d99
Scopus
Zitationen: 8
Dimensions
Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 05.2020
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0957-4484, 1361-6528
KITopen-ID: 1000143306
Erschienen in Nanotechnology
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 31
Heft 18
Seiten Art.-Nr.: 185302
Vorab online veröffentlicht am 14.02.2020
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page