Electronic influence of ultrathin aluminum oxide on the transistor device performance of binary indium/tin oxide films
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS) Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2022 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 2050-7526, 2050-7534 KITopen-ID: 1000143585 |
| HGF-Programm | 43.35.01 (POF IV, LK 01) Platform for Correlative, In Situ & Operando Charakterizat. |
| Erschienen in | Journal of Materials Chemistry C |
| Verlag | Royal Society of Chemistry (RSC) |
| Band | 10 |
| Heft | 14 |
| Seiten | 5447-5457 |
| Vorab online veröffentlicht am | 04.03.2022 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus OpenAlex Web of Science |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |