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Ferroelectric FET Threshold Voltage Optimization for Reliable In-Memory Computing

Prakash, Om 1; Ni, Kai; Amrouch, Hussam
1 Institut für Technische Informatik (ITEC), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/IRPS48227.2022.9764551
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Zitationen: 2
Dimensions
Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsmonat/-jahr 03.2022
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-66547-950-9
ISSN: 1541-7026
KITopen-ID: 1000147754
Erschienen in 2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS): Proceedings ; Dallas, Texas, 27 March – 31 March 2022
Veranstaltung IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2022), Dallas, TX, USA, 27.03.2022 – 31.03.2022
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten Art.-Nr.: 9C.3
Nachgewiesen in Dimensions
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Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie
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