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High‐Efficiency Graphene‐Oxide/Silicon Solar Cells with an Organic‐Passivated Interface

Gao, Qing; Yan, Jun; Wan, Lu; Zhang, Cuili; Wen, Zhixi; Zhou, Xin; Li, Han 1; Li, Feng; Chen, Jingwei; Guo, Jianxin; Song, Dengyuan; Flavel, Benjamin S. 1; Chen, Jianhui
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

A breakthrough in graphene-oxide/silicon heterojunction solar cells is presented in which edge-oxidized graphene and an in-plane charge transfer dopant (Nafion) are combined to form a high-quality passivating contact scheme. A graphene oxide (GO):Nafion ink is developed and an advanced back-junction GO:Nafion/n-Si solar cell with a high-power conversion efficiency (18.8%) and large area (5.5 cm2) is reported. This scalable solution-based processing technique has the potential to enable low-cost carbon/silicon heterojunction photovoltaic devices.


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000150275
Veröffentlicht am 31.08.2022
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/admi.202201221
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Dimensions
Zitationen: 6
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 08.2022
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2196-7350
KITopen-ID: 1000150275
HGF-Programm 43.31.02 (POF IV, LK 01) Devices and Applications
Erschienen in Advanced Materials Interfaces
Verlag John Wiley and Sons
Band 9
Heft 24
Seiten Art.-Nr.: 2201221
Vorab online veröffentlicht am 27.07.2022
Nachgewiesen in Dimensions
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