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Ionization Energy and Electron Affinity of Clean and Oxidized Al x Ga 1−x N(0001) Surfaces

Nienhaus, H. ; Schneider, M. ORCID iD icon; Grabowski, S. P.; Mönch, W.; Dimitrov, R.; Ambacher, O.; Stutzmann, M.


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1557/PROC-680-E4.5
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Zitationen: 13
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Zitationen: 11
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2001
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0272-9172, 1946-4274
KITopen-ID: 1000154444
Erschienen in MRS Proceedings
Verlag Materials Research Society
Band 680
Seiten Art.-Nr.: 45
Nachgewiesen in Scopus
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