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Dislocation Climb in AlN Crystals Grown at Low-Temperature Gradients Revealed by 3D X-ray Diffraction Imaging

Straubinger, Thomas ; Hartmann, Carsten; Kabukcuoglu, Merve P. ORCID iD icon 1; Albrecht, Martin; Bickermann, Matthias; Klump, Andrew; Bode, Simon 1; Hamann, Elias ORCID iD icon 1; Haaga, Simon 1; Hurst, Mathias ORCID iD icon 1; Schröder, Thomas; Hänschke, Daniel 1; Richter, Carsten
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acs.cgd.2c01131
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Zitationen: 3
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2023
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1528-7483, 1528-7505
KITopen-ID: 1000155982
HGF-Programm 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional
Erschienen in Crystal Growth and Design
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 23
Heft 3
Seiten 1538–1546
Vorab online veröffentlicht am 26.01.2023
Nachgewiesen in Dimensions
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