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A HfS$_{2}$ -based photoelectronic synaptic transistor with tunable synaptic plasticity for emotional memory

Wang, Qiangfei; Jiang, Ruiqi; Gao, Zhaotan; Deng, Menghan; Chen, Junhui; Zhu, Liangqing; Shang, Liyan; Li, Yawei; Fuchs, Dirk 1; Zhang, Jinzhong ; Hu, Zhigao
1 Institut für QuantenMaterialien und Technologien (IQMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Postprint §
DOI: 10.5445/IR/1000156399
Veröffentlicht am 01.04.2024
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.156148
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Zitationen: 12
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Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für QuantenMaterialien und Technologien (IQMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 03.2023
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0169-4332, 1873-5584
KITopen-ID: 1000156399
HGF-Programm 47.11.02 (POF IV, LK 01) Emergent Quantum Phenomena
Erschienen in Applied Surface Science
Verlag Elsevier
Band 613
Seiten Art.-Nr.: 156148
Nachgewiesen in Scopus
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