Thermal Analysis and Design of a Ka-Band Power Amplifier in 130 nm SiGe BiCMOS
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE) |
| Publikationstyp | Proceedingsbeitrag |
| Publikationsjahr | 2023 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-1-66549-319-2 ISSN: 2474-9761 KITopen-ID: 1000157120 |
| Erschienen in | 2023 IEEE 23rd Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems |
| Veranstaltung | 23rd IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (2023), Las Vegas, NV, USA, 22.01.2023 – 25.01.2023 |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Seiten | 47–50 |
| Serie | Digest of papers (Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems) |
| Vorab online veröffentlicht am | 22.02.2023 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions |