Dislocation arrangements in 4H-SiC and their influence on the local crystal lattice properties
Roder, Melissa; Steiner, Johannes; Wellmann, Peter; Kabukcuoglu, Merve
1; Hamann, Elias
1; Haaga, Simon 1; Hänschke, Daniel 1; Danilewsky, Andreas
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Hamann, Elias
1; Haaga, Simon 1; Hänschke, Daniel 1; Danilewsky, Andreas1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsdatum | 01.06.2023 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1600-5767 KITopen-ID: 1000159318 |
| HGF-Programm | 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional |
| Erschienen in | Journal of Applied Crystallography |
| Verlag | International Union of Crystallography |
| Band | 56 |
| Heft | 3 |
| Seiten | 776–786 |
| Vorab online veröffentlicht am | 29.05.2023 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |