KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Influence of Transistor Compact Model Accuracy on Phase Noise Simulation

Schramm, Lukas 1; Baumgartner, Peter; Aghassi-Hagmann, Jasmin ORCID iD icon 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/PRIME58259.2023.10161796
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Publikationsdatum 18.06.2023
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 979-83-503-0320-9
KITopen-ID: 1000161849
HGF-Programm 43.31.02 (POF IV, LK 01) Devices and Applications
Erschienen in 2023 18th Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics (PRIME), Valencia, Spain, 18-21 June 2023
Veranstaltung 2023 18th Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics (PRIME 2023), Valencia, Spanien, 18.06.2023 – 21.06.2023
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Seiten 329 – 332
Nachgewiesen in Dimensions
Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page