Power scaling of segmented and homogeneously doped Ho$^{3+}$: YAG laser resonators

Goth, Katharina; Rupp, Marius; Griesbeck, Michael; Eitner, Madeleine; Eichhorn, Marc; Kieleck, Christelle; Grasso, Robert J.; Eichhorn, Marc; Lewis, Gareth D.

doi:10.1117/12.2682141

Power scaling of segmented and homogeneously doped Ho$^{3+}$: YAG laser resonators

Goth, Katharina ¹; Rupp, Marius ¹; Griesbeck, Michael; Eitner, Madeleine; Eichhorn, Marc ¹; Kieleck, Christelle; Grasso, Robert J. [Hrsg.]; Eichhorn, Marc [Hrsg.]; Lewis, Gareth D. [Hrsg.]
¹ Institut für Regelungs- und Steuerungssysteme (IRS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1117/12.2682141

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Regelungs- und Steuerungssysteme (IRS)
Publikationstyp	Proceedingsbeitrag
Publikationsdatum	23.10.2023
Sprache	Englisch
Identifikator	ISBN: 978-1-5106-6706-8 ISSN: 0277-786X KITopen-ID: 1000165820
Erschienen in	Technologies for Optical Countermeasures XIX. Ed.: R. J. Grasso, M. Eichhorn, G. D. Lewis
Veranstaltung	8th SPIE Security + Defence (2023), Amsterdam, Niederlande, 03.09.2023 – 06.09.2023
Verlag	SPIE
Seiten	1-4
Serie	SPIE Proceedings ; 12738
Nachgewiesen in	Scopus Dimensions

Repository KITopen

Power scaling of segmented and homogeneously doped Ho$^{3+}$: YAG laser resonators