Field‐dependent abundances of hydride molecular ions in atom probe tomography of III‐N semiconductors
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Materialien – Werkstoff- und Grenzflächenmechanik (IAM-MMI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2024 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0022-2720, 1365-2818 KITopen-ID: 1000168313 |
| HGF-Programm | 31.13.05 (POF IV, LK 01) Neutron-Resistant Structural Materials |
| Erschienen in | Journal of Microscopy |
| Verlag | John Wiley and Sons |
| Band | 293 |
| Heft | 3 |
| Seiten | 153-159 |
| Vorab online veröffentlicht am | 16.10.2023 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |