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Bending and reverse bending during the fabrication of novel GaAs/(In,Ga)As/GaAs core–shell nanowires monitored by in situ x-ray diffraction

Al Hassan, Ali 1; AlHumaidi, Mahmoud 1,2; Kalt, Jochen 1,2; Schneider, Reinhard 3; Müller, Erich ORCID iD icon 3; Anjum, Taseer; Khadiev, Azat; Novikov, Dmitri V.; Pietsch, Ullrich; Baumbach, Tilo 1,2
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000171487
Veröffentlicht am 11.06.2024
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS)
Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 15.07.2024
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0957-4484, 1361-6528
KITopen-ID: 1000171487
HGF-Programm 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional
Erschienen in Nanotechnology
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 35
Heft 29
Seiten 295705
Vorab online veröffentlicht am 01.05.2024
Nachgewiesen in Scopus
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