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Enhancing the photoelectric performance of metal oxide semiconductors by introduction of dislocations

Zhang, Haoyu; Gao, Shuang; Wang, Hongyang; Zhuo, Fangping; Muhammad, Qaisar K.; Fang, Xufei 1; Rödel, Jürgen; Frömling, Till ; Li, Qi
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Zugehörige Institution(en) am KIT KIT-Bibliothek (BIB)
Institut für Angewandte Materialien – Werkstoff- und Grenzflächenmechanik (IAM-MMI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2024
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2050-7488, 2050-7496
KITopen-ID: 1000173407
HGF-Programm 38.02.01 (POF IV, LK 01) Fundamentals and Materials
Erschienen in Journal of Materials Chemistry A
Verlag Royal Society of Chemistry (RSC)
Seiten Art.-Nr. d4ta03786c
Vorab online veröffentlicht am 08.08.2024
Nachgewiesen in Dimensions
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