Enhancing the photoelectric performance of metal oxide semiconductors by introduction of dislocations
Zhang, Haoyu; Gao, Shuang; Wang, Hongyang; Zhuo, Fangping; Muhammad, Qaisar K.; Fang, Xufei
1; Rödel, Jürgen; Frömling, Till ; Li, Qi
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Rödel, Jürgen; Frömling, Till ; Li, Qi 1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | KIT-Bibliothek (BIB) Institut für Angewandte Materialien – Werkstoff- und Grenzflächenmechanik (IAM-MMI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsdatum | 10.09.2024 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 2050-7488, 2050-7496 KITopen-ID: 1000173407 |
| HGF-Programm | 38.02.01 (POF IV, LK 01) Fundamentals and Materials |
| Erschienen in | Journal of Materials Chemistry A |
| Verlag | Royal Society of Chemistry (RSC) |
| Band | 12 |
| Heft | 35 |
| Seiten | 23910–23919 |
| Vorab online veröffentlicht am | 08.08.2024 |
| Nachgewiesen in | Web of Science OpenAlex Scopus Dimensions |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |