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Precision manufacturing of glass dielectric resonator antennas for sub‐THz applications using laser induced deep etching technology

Bekker, Elizabeth 1; Yin, Jiexi 1; Valenziano, Luca ORCID iD icon 1; Lootze, Michael; Schulz-Ruhtenberg, Malte; Zwick, Thomas 1; Bhutani, Akanksha ORCID iD icon 1
1 Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

This letter demonstrates for the first time how laser induced deep etching (LIDE) technology is used to manufacture highly precise glass dielectric resonator antenna (DRA) for sub-THz applications. The glass resonator antennas shown in this letter operate in the 110-170 GHz (D-band) frequency range, which is highest frequency at which glass dielectric resonator antennas have been demonstrated to date. The letter discusses the design, manufacturing precision and measurement details for both a single rectangular DRA element, as well as a 4-by-4 array. The measured bandwidth of the singular rectangular DRA stretches from 117-160 GHz, with a peak gain of 6.1 dBi. The array, in turn, has a measured bandwidth of 135-146 GHz, with a peak gain of 13.2 dBi. The excellent measurement results are proof of the suitability of the LIDE technology for highly precise sub-THz antennas.

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsmonat/-jahr 01.2025
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0013-5194, 1350-911X
KITopen-ID: 1000178244
Erschienen in Electronics Letters
Verlag Institution of Engineering and Technology (IET)
Band 61
Heft 1
Seiten Art.-Nr.: e70141
Vorab online veröffentlicht am 10.01.2025
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
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Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000178244
Veröffentlicht am 20.01.2025
Seitenaufrufe: 67
seit 20.01.2025
Downloads: 21
seit 22.01.2025
Cover der Publikation
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