Comparative Study of Residual Stress and Defects in Single‐Crystalline (0001) AlN Wafers by Scanning Infrared Depolarization and White‐Beam X‐ray Topography
Herms, Martin ; Kabukcuoglu, Merve Pinar
1; Hartmann, Carsten; Stöhr, Markus; Wagner, Matthias; Hamann, Elias
1; Hänschke, Daniel 1; Richter, Carsten; Straubinger, Thomas
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Hartmann, Carsten; Stöhr, Markus; Wagner, Matthias; Hamann, Elias
1; Hänschke, Daniel 1; Richter, Carsten; Straubinger, Thomas1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 10.2025 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1862-6300, 1862-6319 KITopen-ID: 1000187818 |
| HGF-Programm | 56.12.11 (POF IV, LK 01) Materials - Quantum, Complex and Functional |
| Erschienen in | physica status solidi (a) |
| Verlag | John Wiley and Sons |
| Band | 222 |
| Heft | 19 |
| Seiten | Art.-Nr. 2400787 |
| Vorab online veröffentlicht am | 20.04.2025 |
| Nachgewiesen in | Scopus OpenAlex Dimensions Web of Science |