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Precise Tailoring of Charge Transport Characteristics in Zr and Hf Doped Indium Tin Oxide Thin Film Transistors

Büschges, Marie Isabelle; Dietz, Christian; Trouillet, Vanessa 1,2; Dippel, Ann-Christin; Igoa Saldaña, Fernando; Schneider, Jörg J.
1 Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Verlagsausgabe §
DOI: 10.5445/IR/1000190298
Veröffentlicht am 05.02.2026
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/aelm.202500722
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2026
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 2199-160X
KITopen-ID: 1000190298
Erschienen in Advanced Electronic Materials
Verlag John Wiley and Sons
Vorab online veröffentlicht am 03.02.2026
Schlagwörter XPS 2024-031-031967
Nachgewiesen in OpenAlex
KIT – Die Universität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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