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Development and characterisation of monolithic silicon detectors = Entwicklung und Charakterisierung von monolithischen siliziumbasierten Detektoren

Trifonova-Ehrler, Ekaterina 1
1 Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

Sowohl aus der Grundlagenforschung als auch aus der angewandten Wissenschaft sind Halbleiterbauelemente nicht mehr wegzudenken. Ihre Anwendung reicht von der Mikro- und Leistungselektronik bis hin zur Optoelektronik und zu Sensoren. Allgemein gesprochen ist ein Sensor ein nicht weiter definiertes Gerät, das ein physisches Signal aus seiner Umgebung detektiert oder misst und in lesbare oder prozessierbare Information übersetzt. Viele konventionelle Halbleiterelemente, einschließlich Photodioden, Transistoren und Solarzellen, fungieren als Sensoren, indem sie auf elektrische, optische oder radioaktive Stimuli reagieren. ... mehr

Abstract (englisch):

Semiconductor devices have become essential tools in both fundamental research and applied technologies. Their applications span from microelectronics and power devices to optoelectronics and sensors. Broadly defined, a sensor is any device that detects or measures physical signals from the external environment and converts them into readable or processable information. Many conventional semiconductor devices, including photodiodes, transistors, and solar cells, function as sensors by responding to electrical, optical, or radioactive stimuli. Among the various materials used for sensor development, silicon remains the dominant platform due to its favourable electronic properties, process maturity, scalability, and availability.
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Volltext §
DOI: 10.5445/IR/1000191058
Veröffentlicht am 06.03.2026
Cover der Publikation
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Hochschulschrift
Publikationsdatum 06.03.2026
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 1000191058
Verlag Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Umfang xv, 348 S.
Art der Arbeit Dissertation
Fakultät Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Prüfungsdatum 28.11.2025
Schlagwörter Silicon particle detectors, High-Voltage CMOS (HV-CMOS), Bipolar CMOS (BiCMOS), TCAD simulation, Sensor characterisation, Hadron therapy, High-energy physics (HEP), Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS), Sensor integration and interconnection, CBM experiment (Compressed Baryonic Matter)
Referent/Betreuer Weber, Marc
Perić, Ivan
Worm, Steven
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