Quantitative transmission electron microscopy investigation of the relaxation by misfit dislocations confined at the interface of GaN/Al2O3(001)

Kaiser, Stephan; Preis, Herbert; Gebhardt, Wolfgang; Ambacher, Oliver; Angerer, Helmut; Stutzmann, Martin; Rosenauer, Andreas; Gerthsen, Dagmar

Seitenaufrufe: 45
seit 03.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	1998
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 105798
Erscheinungsvermerk	Jap. j. of appl. phys. I 37 (1998) S. 84.