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Geometric linewidth and the impact of thermal processing on the stress regimes induced by electroless copper metallization for Si integrated circuit interconnect technology

McNally, P.J.; Kanatharana, J.; Toh, B.H.W.; McNeill, D.W.; Danilewsky, A.N.; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.; Toivonen, J.; Simon, R.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2004
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110059678
HGF-Programm 55.01.02 (POF I, LK 01)
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 96
Seiten 7596-76020
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