Geometric linewidth and the impact of thermal processing on the stress regimes induced by electroless copper metallization for Si integrated circuit interconnect technology

McNally, P. J.; Kanatharana, J.; Toh, B. H. W.; McNeill, D. W.; Danilewsky, A. N.; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.; Toivonen, J.; Simon, R.

Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.181178

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seit 01.05.2018

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2004
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110059678
HGF-Programm	55.01.02 (POF I, LK 01)
Erschienen in	Journal of Applied Physics
Band	96
Seiten	7596-76020