Full counting statistics for a single-electron transistor: Nonequilibrium effects at intermediate conductance
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Jahr | 2006 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110064329 |
| HGF-Programm | 43.02.01 (POF I, LK 01) |
| Erschienen in | Physical Review Letters |
| Band | 96 |
| Seiten | 086803 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science |