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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.086803
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Zitationen: 31

Full counting statistics for a single-electron transistor: Nonequilibrium effects at intermediate conductance

Utsumi, Y.; Golubev, D.S.; Schön, G.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110064329
HGF-Programm 43.02.01 (POF I, LK 01)
Erschienen in Physical Review Letters
Band 96
Seiten 086803
Nachgewiesen in Web of Science
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