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Full counting statistics for a single-electron transistor: Nonequilibrium effects at intermediate conductance

Utsumi, Y. 1; Golubev, D. S. 1,2; Schön, G. 1,2
1 Universität Karlsruhe (TH)
2 Forschungszentrum Karlsruhe (FZKA)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.086803
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Zitationen: 39
Web of Science
Zitationen: 40
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Zitationen: 43
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110064329
HGF-Programm 43.02.01 (POF I, LK 01) Theorie nanoelektronischer Systeme
Erschienen in Physical Review Letters
Band 96
Seiten 086803
Nachgewiesen in Web of Science
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