KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Full counting statistics for a single-electron transistor: Nonequilibrium effects at intermediate conductance

Utsumi, Y. 1; Golubev, D. S. 1,2; Schön, G. 1,2
1 Universität Karlsruhe (TH)
2 Forschungszentrum Karlsruhe (FZKA)


Download
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.086803
Scopus
Zitationen: 39
Web of Science
Zitationen: 41
Dimensions
Zitationen: 43
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110064329
HGF-Programm 43.02.01 (POF I, LK 01) Theorie nanoelektronischer Systeme
Erschienen in Physical Review Letters
Band 96
Seiten 086803
Nachgewiesen in Web of Science
Dimensions
Scopus
OpenAlex
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page