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Comparative study of trap-limited hydrogen diffusion in amorphous SiC, Si₀̣₆₆C₀̣₃₃̗N₁̣₃₃, and SiN₁̣₃₃ films

Schmidt, H.; Borchardt, G.; Geckle, U.; Bruns, M.; Baumann, H.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/0953-8984/18/23/009
Scopus
Zitationen: 11
Web of Science
Zitationen: 9
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Materialforschung - Werkstoffprozesstechnik (IMF3) (IMF3)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110065077
HGF-Programm 43.01.06 (POF I, LK 01)
Erschienen in Journal of Physics: Condensed Matter
Band 18
Seiten 5363-70
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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