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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/0953-8984/18/23/009
Web of Science
Zitationen: 8

Comparative study of trap-limited hydrogen diffusion in amorphous SiC, Si₀̣₆₆C₀̣₃₃̗N₁̣₃₃, and SiN₁̣₃₃ films

Schmidt, H.; Borchardt, G.; Geckle, U.; Bruns, M.; Baumann, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Materialforschung - Werkstoffprozesstechnik (IMF3) (IMF3)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 110065077
HGF-Programm 43.01.06; LK 01
Erschienen in Journal of Physics: Condensed Matter
Band 18
Seiten 5363-70
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