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A transient electrical model of charging for Ge nanocrystal containing gate oxides

Beyer, V.; Borany, J.von; Klimenkov, M.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.2723864
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Zitationen: 27
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Zitationen: 23
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Materialforschung - Angewandte Werkstoffphysik (IMF1) (IMF1)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110068209
HGF-Programm 31.40.03 (POF I, LK 01) Materialentwicklung
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 101
Seiten 094507/1-7
Nachgewiesen in Web of Science
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