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Patterning of porous silicon by metal-assisted chemical etching under open circuit potential conditions

Kapaklis, V.; Georgiopoulos, A.; Poulopoulos, P.; Politis, C.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.physe.2006.12.055
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Zitationen: 18
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Zitationen: 14
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110068673
HGF-Programm 52.01.01 (POF I, LK 01) Elektr.Eigenschaften.Magnetismus u.SL
Erschienen in Physica E
Band 38
Seiten 44-49
Nachgewiesen in Scopus
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Web of Science
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