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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.physe.2006.12.055
Web of Science
Zitationen: 16

Patterning of porous silicon by metal-assisted chemical etching under open circuit potential conditions

Kapaklis, V.; Georgiopoulos, A.; Poulopoulos, P.; Politis, C.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110068673
HGF-Programm 52.01.01 (POF I, LK 01)
Erschienen in Physica E
Band 38
Seiten 44-49
Nachgewiesen in Web of Science
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