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Fine structure in the tunneling characteristic of MgB₂ thin films

Schneider, R.; Geerk, J.; Zaitsev, A.G.; Löhneysen, H.von



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.2755921
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Zitationen: 6
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Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110069083
HGF-Programm 52.01.01 (POF I, LK 01) Elektr.Eigenschaften.Magnetismus u.SL
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 91
Seiten 022509/1-3
Nachgewiesen in Dimensions
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