Theoretical calculations of mobility enhancement in strained silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2007 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110069793 |
| HGF-Programm | 43.02.01 (POF I, LK 01) Theorie nanoelektronischer Systeme |
| Erschienen in | Physical Review B |
| Band | 75 |
| Seiten | 195213/1-7 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus Web of Science |