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Theoretical calculations of mobility enhancement in strained silicon

Dziekan, T.; Zahn, P.; Meded, V.; Mirbt, S.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.75.195213
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Web of Science
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Seitenaufrufe: 13
seit 07.05.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110069793
HGF-Programm 43.02.01 (POF I, LK 01)
Erschienen in Physical Review B
Band 75
Seiten 195213/1-7
Nachgewiesen in Web of Science
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