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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/0957-4484/19/43/435203
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Zitationen: 26
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Zitationen: 21

A nanoparticulate indium tin oxide field-effect transistor with solid electrolyte gating

Dasgupta, S.; Gottschalk, S.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110073385
HGF-Programm 43.03.04 (POF I, LK 01)
Erschienen in Nanotechnology
Band 19
Seiten 435203/1-6
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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