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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1007/s10854-007-9307-4
Web of Science
Zitationen: 1

Dislocations at the interface between sapphire and GaN

Lankinen, A.; Lang, T.; Suihkonen, S.; Svensk, O.; Säynätjoki, A.; Tuomi, T.O.; McNally, P.J.; Odnoblyudov, M.; Bougrov, V.; Danilewsky, A.N.; Bergman, P.; Simon, R.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator KITopen ID: 110074288
HGF-Programm 43.01.05; LK 01
Erschienen in Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Band 19
Seiten 143-48
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