Dislocations at the interface between sapphire and GaN

Lankinen, A.; Lang, T.; Suihkonen, S.; Svensk, O.; Säynätjoki, A.; Tuomi, T. O.; McNally, P. J.; Odnoblyudov, M.; Bougrov, V.; Danilewsky, A. N.; Bergman, P.; Simon, R.

doi:10.1007/s10854-007-9307-4

Dislocations at the interface between sapphire and GaN

Lankinen, A.; Lang, T.; Suihkonen, S.; Svensk, O.; Säynätjoki, A.; Tuomi, T. O.; McNally, P. J.; Odnoblyudov, M.; Bougrov, V.; Danilewsky, A. N.; Bergman, P.; Simon, R.

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DOI: 10.1007/s10854-007-9307-4

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2008
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110074288
HGF-Programm	43.01.05 (POF I, LK 01) Charakterisierung u.Zuverlässigkeit
Erschienen in	Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Band	19
Seiten	143-48
Nachgewiesen in	Web of Science Dimensions Scopus

Repository KITopen

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