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Dislocations at the interface between sapphire and GaN

Lankinen, A.; Lang, T.; Suihkonen, S.; Svensk, O.; Säynätjoki, A.; Tuomi, T. O.; McNally, P. J.; Odnoblyudov, M.; Bougrov, V.; Danilewsky, A. N.; Bergman, P.; Simon, R.


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1007/s10854-007-9307-4
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Zitationen: 1
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110074288
HGF-Programm 43.01.05 (POF I, LK 01) Charakterisierung u.Zuverlässigkeit
Erschienen in Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Band 19
Seiten 143-48
Nachgewiesen in Dimensions
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