Appropriate choice of channel ratio in thin-film transistors for the exact determination of field-effect mobility
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2009 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110075317 |
| HGF-Programm | 43.03.10 (POF II, LK 01) |
| Erschienen in | Applied Physics Letters |
| Seiten | 183503/1-3 |
| Erscheinungsvermerk | 94(2009) Nanoscale Science and Technology, 19(2009) Issue 20 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science OpenAlex Dimensions |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |