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Appropriate choice of channel ratio in thin-film transistors for the exact determination of field-effect mobility

Okamura, K.; Nikolova, D.; Mechau, N.; Hahn, H.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3126956
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Web of Science
Zitationen: 48
Seitenaufrufe: 7
seit 23.08.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110075317
HGF-Programm 43.03.10 (POF II, LK 01)
Erschienen in Applied Physics Letters
Seiten 183503/1-3
Erscheinungsvermerk 94(2009) Nanoscale Science and Technology, 19(2009) Issue 20
Nachgewiesen in Web of Science
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