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Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer

Dasgupta, S.; Dehm, S.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110075831
HGF-Programm 43.03.10 (POF II, LK 01)
Erschienen in Acta Physica Polonica A
Band 115
Seiten 473-76
Externe Relationen Volltext/Abstract
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