Electrochemically-gated field-effect transistor with indium tin oxide nanoparticles as active layer
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2009 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110075831 |
| HGF-Programm | 43.03.10 (POF II, LK 01) |
| Erschienen in | Acta Physica Polonica A |
| Band | 115 |
| Seiten | 473-76 |
| Externe Relationen | Abstract/Volltext |