Decay mechanisms of excited electrons in quantum-well states of ultrathin Pb islands grown on Si(111): scanning tunneling spectroscopy and theory

Hong, I. P.; Brun, C.; Patthey, F.; Sklyadneva, I. Yu.; Zubizarreta, X.; Heid, R.; Silkin, V. M.; Echenique, P. M.; Bohnen, K. P.; Chulkov, E. V.; Schneider, W. D.

doi:10.1103/PhysRevB.80.081409

Decay mechanisms of excited electrons in quantum-well states of ultrathin Pb islands grown on Si(111): scanning tunneling spectroscopy and theory

Hong, I. P.; Brun, C.; Patthey, F.; Sklyadneva, I. Yu.; Zubizarreta, X.; Heid, R. ¹; Silkin, V. M.; Echenique, P. M.; Bohnen, K. P. ¹; Chulkov, E. V.; Schneider, W. D.
¹ Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1103/PhysRevB.80.081409

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2009
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110076257
HGF-Programm	52.01.01 (POF II, LK 01) Elektr.Eigenschaften.Magnetismus u.SL
Erschienen in	Physical Review B
Band	80
Seiten	081409/1-4
Nachgewiesen in	Dimensions Web of Science Scopus

Repository KITopen

Decay mechanisms of excited electrons in quantum-well states of ultrathin Pb islands grown on Si(111): scanning tunneling spectroscopy and theory