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Decay mechanisms of excited electrons in quantum-well states of ultrathin Pb islands grown on Si(111): scanning tunneling spectroscopy and theory

Hong, I. P.; Brun, C.; Patthey, F.; Sklyadneva, I. Yu.; Zubizarreta, X.; Heid, R. 1; Silkin, V. M.; Echenique, P. M.; Bohnen, K. P. 1; Chulkov, E. V.; Schneider, W. D.
1 Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.80.081409
Scopus
Zitationen: 54
Web of Science
Zitationen: 53
Dimensions
Zitationen: 52
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110076257
HGF-Programm 52.01.01 (POF II, LK 01) Elektr.Eigenschaften.Magnetismus u.SL
Erschienen in Physical Review B
Band 80
Seiten 081409/1-4
Nachgewiesen in Scopus
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Dimensions
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