KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.80.081409
Web of Science
Zitationen: 38

Decay mechanisms of excited electrons in quantum-well states of ultrathin Pb islands grown on Si(111): scanning tunneling spectroscopy and theory

Hong, I.P.; Brun, C.; Patthey, F.; Sklyadneva, I.Yu.; Zubizarreta, X.; Heid, R.; Silkin, V.M.; Echenique, P.M.; Bohnen, K.P.; Chulkov, E.V.; Schneider, W.D.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110076257
HGF-Programm 52.01.01 (POF II, LK 01)
Erschienen in Physical Review B
Band 80
Seiten 081409/1-4
Nachgewiesen in Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page