KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3190520
Scopus
Zitationen: 10
Web of Science
Zitationen: 6

Current-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor devices containing Ge or Si nanocrystals in thin gate oxides

Beyer, V.; Borany, J.von; Klimenkov, M.; Müller, T.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Materialforschung - Angewandte Werkstoffphysik (IMF1) (IMF1)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2009
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110077136
HGF-Programm 31.40.03 (POF II, LK 01)
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 106
Seiten 064505/1-11
Nachgewiesen in Web of Science
Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page