Current-voltage characteristics of metal-oxide-semiconductor devices containing Ge or Si nanocrystals in thin gate oxides
Beyer, V.; Borany, J. von; Klimenkov, M.
1; Müller, T.
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Müller, T.1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Materialforschung - Angewandte Werkstoffphysik (IMF1) (IMF1) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2009 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110077136 |
| HGF-Programm | 31.40.03 (POF II, LK 01) Materialentwicklung |
| Erschienen in | Journal of Applied Physics |
| Band | 106 |
| Seiten | 064505/1-11 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |