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Lateral ordering, strain, and morphology evolution of InGaAs/GaAs(001) quantum dots due to high temperature postgrowth annealing

Riotte, M.; Fohtung, E.; Grigoriev, D.; Minkevich, A.A.; Slobodskyy, T.; Schmidbauer, M.; Metzger, T.H.; Hu, D.Z.; Schaadt, D.M.; Baumbach, T.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3299262
Scopus
Zitationen: 7
Web of Science
Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 110079218
HGF-Programm 55.51.10 (POF II, LK 02)
Erschienen in Applied physics letters
Band 96
Seiten 083102/1-3
Nachgewiesen in Scopus
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