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Lateral ordering, strain, and morphology evolution of InGaAs/GaAs(001) quantum dots due to high temperature postgrowth annealing

Riotte, M. 1; Fohtung, E. 1; Grigoriev, D. 2; Minkevich, A. A. 1; Slobodskyy, T. 1; Schmidbauer, M.; Metzger, T. H.; Hu, D. Z.; Schaadt, D. M.; Baumbach, T. 1,2
1 Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Laboratorium für Applikationen der Synchrotronstrahlung (LAS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3299262
Scopus
Zitationen: 8
Web of Science
Zitationen: 7
Dimensions
Zitationen: 8
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 110079218
HGF-Programm 55.51.10 (POF II, LK 02) Betrieb und Entw.d.ANKA Beaml.u.Nutzers.
Erschienen in Applied physics letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 96
Seiten 083102/1-3
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
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