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Carrier transport in nanocrystalline field-effect transistors: impact of interface roughness and geometrical carrier trap

Okamura, K. 1; Hahn, H. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3495798
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Zitationen: 21
Web of Science
Zitationen: 17
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Zitationen: 21
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110080751
HGF-Programm 43.12.02 (POF II, LK 01) Tuneable properties of nanomaterials
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 97
Seiten 153114/1-3
Nachgewiesen in Scopus
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