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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3511346
Scopus
Zitationen: 56
Web of Science
Zitationen: 46

Electrical resistivity of nanocrystalline Al-doped zinc oxide films as a function of Al content and the degree of its segregation at the grain boundaries

Nasr, B.; Dasgupta, S.; Wang, D.; Mechau, N.; Kruk, R.; Hahn, H.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110081502
HGF-Programm 43.12.01 (POF II, LK 01)
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 108
Seiten 103721/1-6
Nachgewiesen in Web of Science
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