Electrical resistivity of nanocrystalline Al-doped zinc oxide films as a function of Al content and the degree of its segregation at the grain boundaries
Nasr, B. 1; Dasgupta, S. 1; Wang, D.
1; Mechau, N. 1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Mechau, N. 1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 11 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2010 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | KITopen-ID: 110081502 |
| HGF-Programm | 43.12.01 (POF II, LK 01) Tailored properties of nanomaterials |
| Erschienen in | Journal of Applied Physics |
| Band | 108 |
| Seiten | 103721/1-6 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus OpenAlex |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |