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Electrical resistivity of nanocrystalline Al-doped zinc oxide films as a function of Al content and the degree of its segregation at the grain boundaries

Nasr, B. 1; Dasgupta, S. 1; Wang, D. ORCID iD icon 1; Mechau, N. 1; Kruk, R. 1; Hahn, H. 1
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.3511346
Scopus
Zitationen: 83
Dimensions
Zitationen: 76
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110081502
HGF-Programm 43.12.01 (POF II, LK 01) Tailored properties of nanomaterials
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 108
Seiten 103721/1-6
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
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