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Dislocation generation related to micro-cracks in Si wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P. 1; Cecilia, A. 1; Li, Z. 1; Baumbach, T. 1; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.nimb.2009.09.013
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Zitationen: 16
Web of Science
Zitationen: 13
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Zitationen: 13
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator KITopen-ID: 110081811
HGF-Programm 55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erschienen in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
Band 268
Seiten 399-402
Nachgewiesen in Scopus
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