Dislocation generation related to micro-cracks in Si wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P.; Cecilia, A.; Li, Z.; Baumbach, T.; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.

doi:10.1016/j.nimb.2009.09.013

Dislocation generation related to micro-cracks in Si wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography

Danilewsky, A. N.; Wittge, J.; Hess, A.; Cröll, A.; Allen, D.; McNally, P. J.; Vagovic, P. ¹; Cecilia, A. ¹; Li, Z. ¹; Baumbach, T. ¹; Gorostegui-Colinas, E.; Elizalde, M.
¹ Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.nimb.2009.09.013

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Synchrotronstrahlung (ISS)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2010
Sprache	Englisch
Identifikator	KITopen-ID: 110081811
HGF-Programm	55.51.20 (POF II, LK 02) Infrastr.u.Betrieb ANKA-Beschleunigeranl
Erschienen in	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
Band	268
Seiten	399-402
Nachgewiesen in	Dimensions Scopus Web of Science

Repository KITopen

Dislocation generation related to micro-cracks in Si wafers: High temperature in-situ study with white beam X-ray topography